型号: | HSG1002VE-TL-E | RoHS: | 无铅 / 符合 |
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制造商: | Renesas Electronics America | 描述: | IC AMP HBT SIGE 38GHZ MFPAK-4 |
详细参数 |
数值 |
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产品分类 | 分离式半导体产品 >> RF 晶体管 (BJT) |
标准包装 | 10,000 |
系列 | - |
晶体管类型 | NPN |
电压 - 集电极发射极击穿(最大) | 3.5V |
频率 - 转换 | 38GHz |
噪声系数(dB典型值@频率) | 0.7dB ~ 1.8dB @ 1.8GHz ~ 5.8GHz |
增益 | 8dB ~ 19.5dB |
功率 - 最大 | 200mW |
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE) | 100 @ 5mA,2V |
电流 - 集电极 (Ic)(最大) | 35mA |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 4-SMD,鸥翼型 |
供应商设备封装 | 4-MFPAK |
包装 | 带卷 (TR) |